Die Chip-Hersteller SK Hynix und Samsung haben auf der International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) Einzelheiten zu ihren Arbeitsspeichern der nächsten Generation, DDR5, bekannt gegeben. Das berichtet die Fachzeitschrift «EE Times». Die ersten Produkte mit DDR5-RAMs werden im Jahr 2019 erwartet.
DDR5-Chip von SK Hynix
Der von dem Unternehmen SK Hynix entwickelte DDR5-Arbeitsspeicher soll über eine Kapazität von 16 GB verfügen und Datenübertragungen von 6,4 GB/s pro Pin ermöglichen. Der Chip benötige 1,1 Volt und habe eine Grösse von 76,22 Quadratmillimeter, wie der Chip-Designer Dongkyun Kim von SK Hynix auf der ISSCC verraten haben soll.
Zwar habe die Standardisierungs-Organisation Jedec noch keinen Standard für DDR5-Arbeitsspeicher formuliert, trotzdem befinden sich diese Module bereits in der Entwicklung. Eigentlich habe der neue Standard bereits im letzten Jahr fertiggestellt werden sollen, schreibt die «EE Times» und schätzt, dass die ersten DDR5-Chips Ende 2019 verbaut werden könnten.
Samsung arbeitet an LPDDR5
Während sich SK Hynix auf einen Arbeitsspeicher-Chip konzentriert, der vor allem für den Einsatz in Desktop-Computern gedacht scheint, arbeitet Samsung an einem neuen Arbeitsspeicher, der in mobilen Geräten wie Smartphones, Tablets und Notebooks eingebaut werden könnte. Arbeitsspeicher für den mobilen Einsatz zeichnen sich durch eine geringere Energieversorgung aus und heissen daher LPDDR5, wobei LP für Low Power steht, also Niedrigenergie.
Auch Samsung hat auf der ISSCC Informationen zu seinem neuen Arbeitsspeicher heraus gegeben. Danach soll der Samsung-LPDDR5 SDRAM zur 10nm-Klasse gehören und eine Datenübertragung von bis zu 7,5 GB/s erreichen. Dabei müsse der Chip mit 1,05 Volt versorgt werden.
Anders als beim DDR5-Arbeitsspeicher hat das Standardisierungs-Gremium Jedec die LPDDR5-Standards bereits veröffentlicht. Danach soll die I/O-Rate 6400 MT/s erreichen und damit doppelt so hoch sein wie beim LPDDR4-Standard in seiner ersten Version, erinnert sich die «EE Times».
